拓荆科技：致力于研发世界领先的半导体薄膜设备

 中国工业报记者李淑梅

    4月2日，中国工业报记者走进位于浑南区水家900号的沈阳拓荆科技有限公司新厂区，这里拥有宽敞、明亮的现代化办公大楼及高级洁净的厂房，总建筑面积达42,000平方米。千级、百级乃十级的无尘室以及十余台高端的检测设备，用以研制科技领先的半导体薄膜设备。
    沈阳拓荆科技有限公司副总经理孙丽杰在向中国工业报记者介绍，拓荆作为两次承担国家重大科技专项的高新技术企业，在过去10年里，先后引进十余名名海外专家，现有的280余名员工，硕士占40%，本科及以上员工占92%。
    在人才矩阵的强力支撑下，拓荆不断推出创新产品，不断填补国内空白，现在已经发展成为国内极大规模集成电路行业专用薄膜设备的领军企业。集成电路产业发展遵从摩尔定律，产品每18个月性能翻一倍，成本节约一半。薄膜设备是集成电路四大核心设备之一，设备需求占到产线的20%。其核心技术是利用等离子体增强化学气相沉积法，在硅片上“长”出一层层固态薄膜，而成膜的速度和薄膜的质量直接影响着芯片的产能和良率。拓荆公司一直致力于集成电路高端薄膜装备创新，围绕该技术产品两次承担国家02科技重大专项，现已形12英寸PECVD、ALD、3D NAND PECVD三个产品，广泛应用于集成电路、3D-TSV、光波导、LED、3D-NAND闪存、OLED显示等高端技术领域。